研究開発

コア技術

ドライプロセスを用いたSAPによる銅配線形成技術

コンセプト

樹脂表面を粗化して無電解Cuめっきシード層を用いた従来のCu配線構造に対して、ドライプロセスを用いることにより、アンダーカットの無い平滑表面で高品位のCu配線構造を実現します。

特徴

  • 高品位のCu配線をSAPにより実現
  • 半導体製造技術を応用したドライプロセス(プラズマエッチング、スパッタリング)を適用

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